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N 型半導體(tǐ)材料技術

透明超晶格結構 N 型半導體(tǐ)納米電熱膜以耐高溫、高強度的鐵、不鏽鋼、鋁合金、陶瓷,石英玻璃、雲母、普通玻璃、碳化矽、氮化矽、微晶玻璃等、爲基體(tǐ),利用特殊工(gōng)藝在基體(tǐ)上噴鍍經配制的無機材料混合液而成導電薄膜。透光率可達 85~90%,鍍膜層的原子和分(fēn)子爲納米級别,薄膜呈超晶格結構,導電機制爲 N 型半導體(tǐ)導電機制,故稱爲透明超晶格結構 n 型半導體(tǐ)納米電熱膜。

透明超晶格結構 N 型半導體(tǐ)納米電熱膜的基體(tǐ)可制作成任意形狀, 可根據所需加熱溫度而制作成相對應的功率,供電電源不分(fēn)正負,交流和直流電均可使用,電壓可以是 1~450V 間的任一(yī)值,可以在完全電壓範圍内實現生(shēng)活中(zhōng)需加熱的電器。具有很大(dà)的選擇性。

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透明超晶格結構N型半導體(tǐ)納米電熱膜物(wù)理化學性能優良。具有耐高溫,耐腐蝕,硬度高,工(gōng)作壽命長,安全和電氣強度高等優良特性。在持續高溫幹燒的情況下(xià),膜層阻值不會明顯衰減,溫度系數低。膜層不易被氧化,可耐腐蝕,儲存方便。膜層硬度可達7.5,須在打磨機上使用金剛砂高強度打磨膜層才會被除去(qù),在正常物(wù)理碰撞或劃痕情況下(xià),膜層幾乎不會受損。工(gōng)作壽命符合标準要求,大(dà)于 20000 小(xiǎo)時。安全性方面,洩漏電流爲 0.013mA,遠小(xiǎo)于标準要求 (0.75mA),膜層無毒、無有害輻射、無任何污染;電氣強度符合要求,即基本絕緣能承受交流試驗電壓 1500V,曆時 1min,無擊穿或閃絡。

經國家紅外(wài)及工(gōng)業電熱産品質量監督檢驗中(zhōng)心檢驗,本發明所述電熱膜産品各項指标均符合标準要求,某些項目甚至好于标準要求。所述電熱膜爲遠紅外(wài)面發熱,其法向全反射率爲 0.83(+),傳熱集中(zhōng),升溫快。電熱輻射轉換效率比标準要求高出近 20%,其電熱轉換效率達 97% 以上 ( 電熱轉換效率 = 電熱輻射轉換效率 ×1.4)。所述電熱膜通電後相對輻射能譜( 紅外(wài)輻射波長範圍 ) 爲2.5~20μm,人體(tǐ)對此波段的遠紅外(wài)線具有最佳的吸收。

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